半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996143963
Publication number (International publication number)：1997326526
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】高出力半導体レーザの端面をレーザ光に対して透明化し、素子の高信頼度化を実現する。【解決手段】第一の導電性を有する半導体基板上に形成された第一の導電性を有するクラッド層,量子井戸構造を有する活性層,第二の導電性を有するクラッド層,第二の導電性を有するクラッド層により形成されたリッジからなる半導体レーザ装置において、リッジをレーザ端面から離間させて形成し、リッジ及びその近傍以外の活性層、及びレーザ端面部の活性層の量子井戸構造を混晶化し、又は活性層の超格子を無秩序化する。混晶化、又は無秩序化にはZn,SiやSeの拡散、又はH,As,P,Ga,Zn,Se、又はSiイオン又は原子のインプランテーションを用いる。

Claim (excerpt)：

第一の導電性を有する半導体基板上に形成された第一の導電性を有するクラッド層,量子井戸構造を有する活性層,第二の導電性を有するクラッド層、前記第二の導電性を有するクラッド層により形成されたリッジを含む半導体レーザ装置において、前記リッジがレーザ端面近傍以外の領域に形成され、前記リッジ近く以外の活性層,レーザ端面部の活性層の量子井戸構造が混晶化されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-142358 Applicant：住友電気工業株式会社
特開平2-203586
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-084738 Applicant：三菱電機株式会社

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