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J-GLOBAL ID：200903001375329214

フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法

Inventor：
菅原 稔

About 菅原 稔


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995034221
Publication number (International publication number)：1996202020
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】パターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度のそれぞれの範囲内における光近接効果に対するパターンの補正の適否を正確に評価し得る、フォトリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクにおけるパターン形状評価方法を提供する。【構成】パターン形状評価方法は、(イ)フォトマスクにおける評価パターンを複数設定し、且つ、上記3つの裕度の内、2つの裕度を設定し、(ロ)他の1つの裕度に関連する量を変化量として変化させて、評価パターンに基づき転写パターンを求め、(ハ)評価パターン上の予め設定された複数の測定点に対応する転写パターンの位置において、転写パターンの大きさを求め、(ニ)求めた転写パターンの大きさに基づき、設定された2つの裕度の領域内における変化量の最小値を他の1つの裕度として求め、評価パターンにおける求めた裕度を比較する、各工程から成る。
Claim (excerpt)：
フォトマスクに形成されたパターンを、露光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写して、該フォトレジストに転写パターンを形成するフォトリソグラフィ工程に用いられる、光透過領域と遮光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有する半遮光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有していない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と位相シフト領域から成るパターンを有するフォトマスクにおけるパターン形状評価方法であって、(イ)フォトマスクにおける評価パターンを複数設定し、且つ、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の3つの裕度の内、2つの裕度を設定し、(ロ)マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量として変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量として変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写パターンを求め、(ハ)評価パターン上の予め設定された複数の測定点に対応する転写パターンの位置において、かかる転写パターンのそれぞれの大きさを求め、(ニ)該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パターンのそれぞれに対して、前記設定された2つの裕度の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されていない1つの裕度として求め、それぞれの評価パターンにおけるかかる求めた裕度を比較する、各工程から成ることを特徴とするパターン形状評価方法。
IPC (4)：
G03F 1/08 ,  G01B 11/24 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 V
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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