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J-GLOBAL ID:200903001424503004
窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
谷 義一
, 阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008061226
Publication number (International publication number):2008227501
Application date: Mar. 11, 2008
Publication date: Sep. 25, 2008
Summary:
【課題】III族窒化物高電子移動度トランジスタ(HEMT)およびその作製方法を提供すること。【解決手段】キャップ層がその上に提供されるバリア層から離れたキャップ層の表面近くに高アルミニウム濃度を有する、不均一なアルミニウム濃度のAlGaNベースのキャップ層を含む、高電子移動度トランジスタが提供される。キャップ層がその上に提供されるバリア層から離れたキャップ層の表面近くにドープ領域を有するキャップ層を含む、高電子移動度トランジスタが提供される。ワイドバンドギャップ半導体デバイスのための黒鉛状BN不動態化構造が提供される。III族窒化物半導体デバイスのためのSiC不動態化構造が提供される。不動態化構造の酸素アニールもまた提供される。リセスのないオーミックコンタクトもまた提供される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
III族窒化物ベースのチャネル層と、
前記チャネル層上のIII族窒化物ベースのバリア層と、
前記バリア層上の多層キャップ層であって、前記バリア層上に窒化アルミニウム(AlN)を含む層を含み、AlNを含む前記層上に窒化ガリウム(GaN)層を含む多層キャップ層と、
前記GaN層上のSiN不動態化層とを含むことを特徴とするIII族窒化物高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
IPC (3):
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
FI (2):
H01L29/80 H
, H01L29/80 Q
F-Term (34):
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ04
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL20
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GM10
, 5F102GN04
, 5F102GN07
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GR07
, 5F102GR10
, 5F102GS04
, 5F102GT03
, 5F102GT05
, 5F102GT06
, 5F102GT07
, 5F102GV05
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F102GV09
, 5F102HC01
, 5F102HC11
, 5F102HC15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (23)
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米国特許第5192987号明細書
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米国特許出願第10/849589号明細書
-
米国特許公開第2003/0020092号明細書
-
米国特許公開第2003/0102482A1号明細書
-
米国特許公開第2004/0012015A1号明細書
-
米国特許第Re.34861号明細書
-
米国特許第4946547号明細書
-
米国特許第5200022号明細書
-
米国特許第6218680号明細書
-
米国特許第5210051号明細書
-
米国特許第5393993号明細書
-
米国特許第5296395号明細書
-
米国特許第5523589号明細書
-
米国特許第5592501号明細書
-
米国特許第6498111号明細書
-
米国特許出願第10/752970号明細書
-
米国特許第6316793号明細書
-
米国特許公開第2002/0066908A1号明細書
-
米国特許公開第2002/0167023A1号明細書
-
米国特許出願第10/617843号明細書
-
米国特許出願第10/772882号明細書
-
米国特許出願第10/897726号明細書
-
米国特許出願第10/849617号明細書
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Cited by examiner (3)
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