窒化物ベースのトランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004521759
Publication number (International publication number)：2006517726
Application date： Jul. 15, 2003
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

窒化物ベースのトランジスタ用コンタクト及びそのようなコンタクトの製造方法は、再成長工程によって凹部を提供する。コンタクトは、凹部内に形成される。再成長工程は、III族窒化物半導体材料を含む第1キャップ層を形成する工程を含んでいる。マスクは、第1キャップ層上に形成及びパターン形成される。マスクのパターンは、コンタクト用凹部のパターンに対応する。III族窒化物半導体材料を含む第2キャップ層は、パターン形成されたマスクを使用して、第1キャップ層上に選択的に形成(例えば、成長する)される。追加層は、第2キャップ層上に形成することができる。マスクは除去され、第1キャップ層に対向する凹部(郡)を提供することができ、コンタクト(群)は、凹部(群)内に形成することができる。あるいは、マスクは、上にコンタクトを形成することができ、除去する必要のない導電性材料を含むことができる。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成するステップと、前記窒化物ベースのチャネル層上に窒化物ベースの半導体の第1キャップ層を形成するステップと、前記第1キャップ層の第1部分を覆うマスクを形成するとともに、該第1キャップ層の隣接した第2部分を露光するステップと、前記マスクを使用して露光された前記第1キャップ層の前記第2部分上に窒化物ベースの半導体の第2キャップ層を形成するステップと、前記第2キャップ層に隣接して、前記第1キャップ層の前記第1部分上に凹部を形成するステップと、前記凹部内にオーミックコンタクト又はゲートコンタクトのうちの1つを形成するステップと、前記基板上に、対応するゲートコンタクト又はオーミックコンタクトを形成するステップとを有することを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (16)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102GV08 , 5F102HC15 , 5F102HC16 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (16)

米国特許第5,192,987明細書
米国特許第4,946,547号明細書
米国特許第5,200,022号明細書

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Cited by examiner (9)

電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084933 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
特開昭62-045078
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-373612 Applicant：松下電器産業株式会社

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