Pat
J-GLOBAL ID：200903018585982875
GaNベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタおよびその製作方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
谷 義一
, 阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003513045
Publication number (International publication number)：2004535676
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
高電子移動度トランジスタ(HEMT)とHEMTを製作する方法を提供する。本発明の実施形態によるデバイスは、窒化ガリウム(GaN)チャネル層と、そのチャネル層上の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)障壁層を含む。障壁層(16)上には第1のオーム接触を設けてソース電極(18)を形成し、障壁層(16)上にはソース電極(18)から間隔を空けて第2のオーム接触を設けることによりドレイン電極(20)を形成する。障壁層(16)上には、ソース電極(18)とドレイン電極(20)との間にGaNベースのキャップセグメント(30)を設ける。GaNベースのキャップセグメント(30)は、ソース電極(18)の隣にソース電極(18)から間隔を空けて第1の側壁(31)を有し、ドレイン電極(20)の隣にドレイン電極(20)から間隔を空けて第2の側壁(32)を有してもよい。GaNベースのキャップセグメント(30)上には非オーム接触を設けてゲートコンタクト(22)を形成する。ゲートコンタクト(22)は、GaNベースのキャップセグメント(30)の第1の側壁(31)と実質的に一直線に並んだ第1の側壁(27)を有する。ゲートコンタクト(22)は、GaNベースのキャップセグメント(30)の第1の側壁(31)と第2の側壁(32)との間の一部にのみ拡張する。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム(GaN)チャネル層と、
該チャネル層上の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)障壁層と、
前記障壁層上に設けられ、ソース電極を提供する第1のオーム接触と、
前記障壁層上の前記ソース電極から間隔を空けて設けられ、ドレイン電極を提供する第2のオーム接触と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記障壁層上のGaNベースのキャップセグメントであって、アルミニウムの濃度が前記障壁層よりも低く、前記ソース電極の隣にかつ前記ソース電極から間隔を空けて設けられた第1の側壁を有するGaNベースのキャップセグメントと、
ゲートコンタクトを提供する前記GaNキャップセグメント上の非オーム接触であって、前記ゲートコンタクトは、前記GaNキャップセグメントの第1の側壁と実質的に一直線に並ぶ第1の側壁を有し、前記ゲートコンタクトは、前記GaNキャップセグメントの第1の側壁と第2の側壁との間の一部にのみ拡張されている非オーム接触と
を備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
IPC (4)：
H01L21/338
, H01L21/28
, H01L29/778
, H01L29/812
H01L29/80 H
, H01L21/28 301B
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB14
, 4M104FF07
, 4M104FF13
, 4M104GG12
, 5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GM10
, 5F102GQ01
, 5F102GR12
, 5F102GS04
, 5F102GT03
, 5F102HC01
, 5F102HC02
Cited by examiner (2)
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半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-373612
Applicant：松下電器産業株式会社
-
半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-196749
Applicant：日本電気株式会社
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