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J-GLOBAL ID:200903001457932261

TFTアレイ基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大槻 聡
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004113075
Publication number (International publication number):2005302818
Application date: Apr. 07, 2004
Publication date: Oct. 27, 2005
Summary:
【課題】 TFTアレイ基板における半導体配線の耐静電気特性を改善し、TFTアレイ基板の製造歩留まりを向上させることを目的とする。【解決手段】 第1メタル層からなる多数のゲート配線11Lと、第2メタル層からなり、ゲート配線11Lに交差させて配置された多数のソース配線15Lと、半導体層からなるTFT半導体部14Tを有するTFT105と、上記半導体層からなり、ソース配線15L下に配置され、ソース配線15Lに沿って伸延させた半導体配線14Lと、上記半導体層からなり、これらの半導体配線14Lを連結する半導体連結部14Jとを備える。この半導体連結部14Jは、連結される半導体配線14Lとともに一連の半導体パターンとして形成される。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
第1メタル層からなる多数のゲート配線と、 第2メタル層からなり、上記ゲート配線に交差させて配置された多数のソース配線と、 上記第1メタル層からなるゲート電極、上記第2メタル層からなるソース電極及びドレイン電極、並びに、上記第1メタル層及び上記第2メタル層間に形成される絶縁膜及び半導体層により構成されるTFTと、 上記半導体層からなり、上記ソース配線下に配置され、上記ソース配線に沿って伸延させた半導体配線と、 上記半導体層からなり、2以上の半導体配線とともに一連の半導体パターンを形成し、これらの半導体配線を連結する半導体連結部とを備えたことを特徴とするTFTアレイ基板。
IPC (4):
H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/3205
FI (5):
H01L29/78 612A ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/88 Z
F-Term (75):
2H092GA25 ,  2H092GA26 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA29 ,  2H092JB21 ,  2H092JB79 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA19 ,  2H092NA14 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK17 ,  5F033KK20 ,  5F033MM05 ,  5F033MM21 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033UU03 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX00 ,  5F110AA22 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)
  • 液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-279420   Applicant:日本電気株式会社
  • 半導体装置およびその作製方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-069519   Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所

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