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J-GLOBAL ID：200903065250019777

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069519
Publication number (International publication number)：2001257359
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の液晶表示装置は、最低でも5枚以上のフォトマスクを使用してTFTを作製していたため製造コストが大きかった。【解決手段】3枚目のフォトマスクにより画素電極119、ソース領域115及びドレイン領域116の形成を行うことにより、3回のフォトリソグラフィー工程で、逆スタガ型のnチャネル型TFTを有する画素TFT部、及び保持容量を備えた液晶表示装置を実現することができる。

Claim (excerpt)：

ゲート配線と、ソース配線と、画素電極とを有する半導体装置であって、絶縁表面上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜と、前記非晶質半導体膜上に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域上に形成されたソース配線または電極と、前記電極上に形成された画素電極とを有し、前記ドレイン領域または前記ソース領域の一つの端面は、前記非晶質半導体膜の端面及び前記電極の端面と概略一致することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 342

FI (5)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 342 Z ,  H01L 29/78 612 D ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 C

F-Term (104)：

2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA40 ,  2H092JB07 ,  2H092JB24 ,  2H092JB57 ,  2H092JB69 ,  2H092JB79 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB13 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA37 ,  2H092NA14 ,  2H092NA16 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED11 ,  5C094ED13 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• アクティブマトリックス基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-343797   Applicant：京セラ株式会社
• アクティブマトリクス表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222193   Applicant：株式会社東芝
• 反射型液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-339892   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 反射型液晶表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-024201   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-174541   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303424   Applicant：日本電気株式会社
• 液晶表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-292998   Applicant：株式会社フロンテック
• 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-344403   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所