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J-GLOBAL ID：200903001459755189
青色発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996230465
Publication number (International publication number)：1997129927
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 チップサイズの小さなGaN系半導体青色発光素子を提供する。【解決手段】 第1導電型GaN系半導体から成るバッファ層と、第1導電型GaN系半導体からなる第1のクラッド層と、実質的に真性なGaN系半導体からなる活性層と、第2導電型のGaN系半導体からなる第2のクラッド層とが、導電性基板上に積層された青色発光ダイオードである。各GaN系半導体は四元系の化合物半導体であり、より好ましくはその組成x,yが0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1を満足するInx Aly Ga1-x-y Nである。そして所望の発光波長および強度を得るべく、組成x,yの値が選ばれている。
Claim (excerpt)：
所定の基板と、該基板の上部に形成された第1導電型の窒化ガリウム系半導体から成るバッファ層と、該バッファ層の上部に形成された第1導電型の窒化ガリウム系半導体から成る第1のクラッド層と、該第1のクラッド層の上部に形成された実質的に真性な窒化ガリウム系半導体から成る活性層と、該活性層の上部に形成された第1導電型とは反対の第2導電型の窒化ガリウム系半導体から成る第2のクラッド層とを少なくとも具備し、上記各窒化ガリウム系半導体層は、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1の範囲内の組成x,yを有したInx Aly Ga1-x-y Nであり、各組成x、yの値は、バッファ層については、0≦x≦0.5、0.5≦y≦1、該第1のクラッド層については、0≦x≦0.3、0.1≦y≦1、該活性層については、0≦x≦0.6、0≦y≦0.5、該第2のクラッド層については、0≦x≦0.3、0.1≦y≦1.0、であることを特徴とする青色発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-079046
Applicant：日亜化学工業株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-234685
Applicant：日亜化学工業株式会社
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