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J-GLOBAL ID：200903034451100324

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 妹尾 雅之 ,  山田 孝夫 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234685
Publication number (International publication number)：1995094783
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 発光素子の外部量子効率を高めることを第一の目的とし、次にn層およびp層の電極間のショートをなくし信頼性の高い発光素子を実現することを第二の目的とし、さらに外部量子効率を高めるために形成した透光性電極の信頼性を高めることを第三の目的とする。【構成】 同一面側にn層2の電極4とp層3の電極11とが形成されており、それらの電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p層3の電極11がp層3表面のほぼ全面に形成された透光性の第一の電極11よりなり、さらにその透光性の第一の電極11の表面に、絶縁性および透光性の保護膜13が形成されている。

Claim (excerpt)：

同一面側にn層の電極とp層の電極とが形成されており、それらの電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p層の電極がp層のほぼ全面に形成された透光性の第一の電極よりなり、さらに前記第一の電極の表面には、絶縁性および透光性の保護膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-321280
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-313977   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-185340   Applicant：豊田合成株式会社
• 特開平2-068968
  
• 特開昭56-079482