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J-GLOBAL ID：200903001460704300

気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物及びその供 給方法及びそれを用いた複合酸化物薄膜の製造方法

Inventor：
門倉 秀公

About 門倉 秀公

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松本 政道

About 松本 政道

, 
奥原 弓恵

About 奥原 弓恵


Applicant, Patent owner：
株式会社高純度化学研究所

About 株式会社高純度化学研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997144474
Publication number (International publication number)：1998298760
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体高集積メモリー、光装置等に用いられる高度に組成、構造が制御された複合酸化物薄膜を、金属ダブルアルコキシドの蒸気を使ってCVD法で作る場合に、安定してその蒸気を発生することのできる組成物および供給方法を提供する。【解決手段】 AnBm(OR)(p+q)(A=アルカリ金属、アルカリ土類金属、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、B=Nb、Ta、Al、R=C2H5、CH(CH3)2、C(CH3)3のいずれかを表す)で表される揮発性の金属ダブルアルコキシドに、低揮発性のAn(OR)pを添加してなる気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物。蒸発用容器に上記組成物を入れ蒸発してCVD室に供給し、間欠的または連続的に補給用容器から蒸発用容器に金属ダブルアルコキシドを補給する供給方法。190°CでSrTa2(OEt)12の蒸気を発生する本発明の金属ダブルアルコキシド組成物は、SrTa2(OEt)121式量とSr(OEt)20.4式量の混合物である。
Claim (excerpt)：
An(OR)pとBm(OR)q(ここでRはアルキル基、n,m,p,qはA、Bの価数に対応した自然数を表す)とから形成され、AnBm(OR)(p+q) 式[I]で表される揮発性の金属ダブルアルコキシドにおいて、Bm(OR)qより揮発性の低いAn(OR)pを式[I]の量論比以上含有した気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物。
IPC (4)：
C23C 16/40 ,  C30B 29/26 ,  C30B 29/30 ,  H01B 3/00
FI (5)：
C23C 16/40 ,  C30B 29/26 ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  H01B 3/00 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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