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J-GLOBAL ID:200903001528850334
キノンジアジドの合成法およびこれを含むポジ型レジスト
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994267490
Publication number (International publication number):1996157445
Application date: Oct. 31, 1994
Publication date: Jun. 18, 1996
Summary:
【要約】【目的】 特定の水酸基が分子内に残存する、所望の感光物異性体を高選択的に合成できるキノンジアジドエステルの合成法を提供し、更に高解像力で且つ解像力の膜厚依存性が小さく、且つ現像残渣が発生しにくく、経時保存安定性に優れたポジ型フォトレジストを提供する。【構成】 ポリヒドロキシ化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルフォニルクロリドのエステル化反応によりキノンジアジドエステルを合成する際に、下記一般式(I)又は(II)で表される塩基化合物を塩基触媒として用いることを特徴とするキノンジアジドの合成法及びこれを含むポジ型レジスト。【化1】式中、R1〜R15は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基(但し、R1,R10,R11は水素原子ではない)、l、m、nは1又は2を表わす。
Claim (excerpt):
ポリヒドロキシ化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルフォニルクロリドのエステル化反応によりキノンジアジドエステルを合成する際に、下記一般式(I)又は(II)で表される塩基化合物を塩基触媒として用いることを特徴とするキノンジアジドエステルの合成法。【化1】式中、R1〜R15は、各々水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基(ただし、R1、R10、R11は水素原子ではない)を表し、l、m、nは各々1又は2を表わす。
IPC (5):
C07C309/69
, B01J 31/02 102
, C07C303/28
, G03F 7/022
, H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭58-219548
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-124536
Applicant:住友化学工業株式会社
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ポジ型フオトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-047327
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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