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J-GLOBAL ID：200903001562945735
プロセス近接効果の予測モデルの作成方法、工程の管理方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法およびプログラム
Inventor：
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,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004240883
Publication number (International publication number)：2005099765
Application date： Aug. 20, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 精度が高いプロセス近接効果の予測モデルを実現すること。【解決手段】 予測モデルの作成方法は、基本パターンの繰り返しで構成された繰り返しパターンに対して、基本パターンを規定する第1の寸法および基本パターンの繰り返しを規定する第2の寸法をそれぞれ変えて得られた、複数の繰り返しパターンで構成されたモデリング用パターン群を用意する工程得数S1と、モデリング用パターン群の中から、所定の繰り返しパターンを選択する工程であって、所定の繰り返しパターン中の基本パターンがウェハ上に形成される所定の寸法を有するパターンに対応したものである工程S2と、所定の繰り返しパターンおよび所定の寸法を有するパターンに基づいて、予測モデル中の未確定のパラメータを確定する工程S5とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
未確定のパラメータを含むプロセス近接効果の予測モデルを用意する工程と、前記未確定のパラメータを確定する工程とを含むプロセス近接効果の予測モデルの作成方法であって、
基本パターンの繰り返しで構成された繰り返しパターンに対して、前記基本パターンを規定する第1の寸法および前記基本パターンの繰り返しを規定する第2の寸法をそれぞれ変えて得られた、複数の繰り返しパターンで構成されたモデリング用パターン群を用意する工程と、
前記モデリング用パターン群の中から、所定の繰り返しパターンを選択する工程であって、前記所定の繰り返しパターン中の基本パターンがウェハ上に形成される所定の寸法を有するパターンに対応したものである工程と、
前記所定の繰り返しパターンおよび前記所定の寸法を有するパターンに基づいて、前記予測モデル中の未確定のパラメータを確定する工程と
を有することを特徴とするプロセス近接効果の予測モデルの作成方法。
IPC (3)：
G03F1/08
, H01L21/02
, H01L21/027
G03F1/08 A
, H01L21/02 Z
, H01L21/30 502P
, H01L21/30 502V
, H01L21/30 502G
2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC09
, 2H095BD28
, 5F046AA25
, 5F046AA28
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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