Pat

J-GLOBAL ID：200903001620463703

半導体配線装置

Inventor： 廣川 友明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997255188
Publication number (International publication number)：1999097527
Application date： Sep. 19, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 上層配線と、下層配線間に空洞が存在する電極配線において、上層配線のたわみを防止する。【解決手段】 半導体基板1上に、第2層配線4と、第1層配線2とが上、下段に形成され、上層配線である第2層配線4と、下層配線である第1層配線2との間に空洞Sが形成されている。第1層配線2上には、第2層配線4に沿ってその両側に立上げた突起6を有している。突起6は、半導体基板1の上方から加えられる圧力を受け止め、上層配線の負担を低減して第2層配線のたわみを抑える。

Claim (excerpt)：

第1層配線と、第2層配線と、突起とを有する半導体配線装置であって、第1層配線と第2層配線とは半導体基板上に形成され、第2層配線は上層配線、第1層配線は下層配線であり、第2層配線と第1層配線間には空洞が形成され、突起は、厚膜であり、第2層配線に沿って第1層配線の一部に立上らせたものであることを特徴とする半導体配線装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 配線装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-087220   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭59-149098
  
• モノリシックマイクロ波集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023571   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭64-081343