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J-GLOBAL ID：200903001653191121

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： セシュ ビー. デスー ,  ウェイ タオ ,  シェン-シュン ペン ,  ティンカイ リ ,  ヨンフェイ ツー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210774
Publication number (International publication number)：1996073222
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 19, 1996
Summary：

【要約】【課題】 質の高い層状構造酸化物からなる強誘電体薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 有機金属気相成長プロセスであって、このプロセスに用いられる原料物質は、層状構造酸化物に含有される各元素のアルキル、アルコキシド、β-ディケトネート、あるいはメタロセンなどの有機金属化合物および酸素を含有する。原料は液体状態で保存され、一組のバブラーあるいは直接液体注入システムのいずれかによって気化され、リアクタの中に導入される。

Claim (excerpt)：

有機金属化学気相成長により基板上に強誘電体層状構造酸化物からなる薄膜を堆積する方法であって、該基板を化学気相成長リアクタにおいて減圧下に維持する工程と、該基板を該化学気相成長リアクタにおいて加熱する工程と、有機金属前駆体を気化させる工程と、該前駆体の蒸気および/または希釈ガスを、キャリアガスあるいは酸化剤の一方、またはその両方により該化学気相成長リアクタへと転送する工程と、該蒸気を第1の温度で分解する工程と、該蒸気を該第1の温度よりも高い第2の温度で分解し、強誘電体層状構造酸化物からなる薄膜を該基板上に形成する工程と、を包含する方法。

IPC (6)：

C01G 31/00 ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 高誘電率誘電体薄膜を有する電子部品とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287768   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-067175
  
• 特開昭49-080598
  
• 誘電体薄膜の形成方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044175   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (6)

• 高誘電率誘電体薄膜を有する電子部品とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287768   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-067175
  
• 特開昭49-080598
  
• 誘電体薄膜の形成方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044175   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭62-067175
  
• 特開昭49-080598