半導体製造用フォトマスク設計方法及びシステム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061446
Publication number (International publication number)：1996328237
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】レベンソン法を使ったフォトマスクの設計において修正し易い不適切箇所を、効率よく見つけだすことが可能な方法及びシステムを提供することにある。【解決手段】透過領域であるパターン夫々において、閾値S2以内で隣接するパターンの隣接関係を求め、該隣接関係で繋がる1つのまとまりである隣接グループ毎に隣接するパターンの組合せを全て抽出し、修正の難しい順に組合せをソートし、該ソートに基づき反転関係を作成し、該作成した反転関係に基づいて位相を決定するという工程を全ての隣接グループに適用することを特徴とするフォトマスクを設計する設計方法。

Claim (excerpt)：

部分的にコヒーレントな入射光を用いるフォトリソグラフィーで使用されるシステムであって、複数の透明領域及び不透明領域が基板上に形成され且つ前記少なくとも一部の透明領域上には該透明領域を通過する前記入射光に位相差が与えられる位相シフターが設けられるフォトマスクを設計する方法において、複数の透明領域に相当する複数の図形を示すマスクレイアウトデータを取込む取込処理を実行し、前記取込まれた前記マスクレイアウトデータで示された前記複数の透明領域に相当する複数の図形の中から、所定距離S1未満で隣接する図形の集まりを求め、該集まり毎に隣接関係にある図形対が逆位相となるように位相を決定し、該位相決定により隣接関係にある図形同士が同相である不適切箇所が含まれる図形の集まりを得る、第1処理を実行し、位相を初期化する図形を、前記不適切箇所が含まれる図形の集まり中で順々に変えつつ前記図形に付すべき位相を決定し、該位相決定により前記不適切箇所と位相決定結果とを得る、第2処理を実行することを特徴とするフォトマスク設計方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , G06F 17/50 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A , G06F 15/60 658 Z , H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

フォトマスク設計装置および設計方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244978 Applicant：株式会社東芝
位相シフタ配置方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-152310 Applicant：松下電器産業株式会社
フォトマスク設計方法及び設計装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-159318 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (5)

フォトマスク設計装置および設計方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244978 Applicant：株式会社東芝
位相シフタ配置方法
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フォトマスク設計方法及び設計装置
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