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J-GLOBAL ID：200903001657078419

半導体製造装置

Inventor：
十文字 正之

About 十文字 正之


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999289338
Publication number (International publication number)：2001110744
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 生産性を高めるとともに、装置全体の小型化を図る。【解決手段】 アニール装置筐体42内に配置される被処理物Aに対してレーザ光Rを照射するレーザ装置43と、このレーザ装置43と被処理物Aとの間に配設されかつアニール装置筐体42内に収納されレーザ光Rが透過する二つのレンズ44a,44bと、これら各レンズ44a,44bに光学的に結合されレンズ劣化に伴い発生する赤色光を検出してレンズ交換時期を判定する判定装置2とを備えた構成としてある。
Claim (excerpt)：
筐体内に配置される被処理物に対してレーザ光を照射するレーザ装置と、このレーザ装置と前記被処理物との間に配設され、かつ前記筐体内に収納され、前記レーザ光が透過する光学素子と、この光学素子に光学的に結合され、前記光学素子の劣化に伴い発生する赤色光を検出して素子交換時期を判定する判定装置とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
H01L 21/268 ,  H01S 3/00
FI (3)：
H01L 21/268 T ,  H01L 21/268 J ,  H01S 3/00 B
F-Term (4)：
5F072AA06 ,  5F072KK05 ,  5F072KK30 ,  5F072YY08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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