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J-GLOBAL ID：200903089566735640

アモルファス半導体膜の多結晶化方法及びレーザアニール装置

Inventor：
浜田 史郎

About 浜田 史郎

, 
市嶋 大路

About 市嶋 大路


Applicant, Patent owner：
住友重機械工業株式会社

About 住友重機械工業株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998051072
Publication number (International publication number)：1999251243
Application date： Mar. 03, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 生産性を低下させることなく、かつ均質な多結晶膜を得ることができるアモルファス半導体膜の多結晶化方法を提供する。【解決手段】 アモルファス半導体膜に、細長いビーム断面を有するレーザビームの照射を断続的に行う。1照射ごとに、照射領域を、その長尺方向と交差する方向に移動させ半導体膜を多結晶化する。照射領域の移動方向に関する1照射当たりのエネルギ密度分布において、その中央部に、一旦形成された結晶粒が再溶融する第1のエネルギ密度領域があり、その外側に、アモルファス半導体膜は溶融するが、結晶粒は再溶融しない第2のエネルギ密度領域があり、その外側に、アモルファス半導体膜が溶融するが多結晶化はしない第3のエネルギ密度領域がある。第3のエネルギ密度領域のレーザ光が照射された領域に、当該照射以降の照射において、第1のエネルギ密度領域のレーザ光が照射されるように、照射領域を移動させる。
Claim (excerpt)：
表面上にアモルファス半導体膜が形成された基板の該アモルファス半導体膜に、その面内の第1の方向に長いビーム断面を有するレーザビームの照射を断続的に繰り返し行いつつ、1照射ごとに該レーザビームの照射領域を、前記基板面内において、前記第1の方向と交差する第2の方向に移動させ、該レーザビームによって照射された領域の前記アモルファス半導体膜を多結晶化する方法であって、前記レーザビームの照射領域の前記第2の方向に関する1照射当たりのエネルギ密度分布において、その中央部に、一旦形成された結晶粒が再溶融するエネルギ密度を有する第1のエネルギ密度領域があり、その外側に、前記アモルファス半導体膜は溶融して多結晶化するが、一旦形成された結晶粒は再溶融しないエネルギ密度を有する第2のエネルギ密度領域があり、その外側に、前記アモルファス半導体膜が溶融するが多結晶化はしないエネルギ密度を有する第3のエネルギ密度領域があり、前記レーザビームのある1照射において、その照射領域の進行方向前方の前記第3のエネルギ密度領域のレーザ光が照射された領域に、当該照射以降のいずれかの照射において、前記第1のエネルギ密度領域のレーザ光が照射されるように、前記アモルファス半導体膜の面内において、前記レーザビームの照射領域を移動させるアモルファス半導体膜の多結晶化方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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