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J-GLOBAL ID：200903001694495275

高純度Ti錯体及びその製造方法並びにBST膜形成用液体組成物

Inventor： 内田 寛人 ,  齋 篤 ,  若林 和夫 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995194874
Publication number (International publication number)：1997040682
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱分解温度が高く、高純度なTi錯体を提供する。【解決手段】 [TiO(DPM)2 ]2 :TiCl2 (DPM)2 の有機溶媒溶液に純水を加え、アルカリ剤でpH6.0〜8.0として白濁させた後、有機層を分取して水洗後、加熱還流して[TiO(DPM)2 ]2 結晶を得る。この高純度Ti錯体とBa(DPM)2 及び/又はSr(DPM)2 とを有機溶媒に溶解したBST膜形成用液体組成物。【効果】 CVD法により、段差被覆性が良好で、高純度で電気特性に優れたTiO膜を成膜できる。溶液供給法により、所望の膜組成のBST膜を成膜できる。

Claim (excerpt)：

下記化学式(I)で表される高純度Ti錯体。[TiO(DPM)2 ]2 ......(I)(ただし、(I)式中、DPMはジピバロイルメタンを示す。)

IPC (2)：

C07F 7/28 ,  C23C 16/40

FI (2)：

C07F 7/28 F ,  C23C 16/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-050104   Applicant：株式会社東芝
• CVD法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるCVD原料及び液体原料容器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-326971   Applicant：三菱電機株式会社