半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050104
Publication number (International publication number)：1996139043
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【構成】Ca、Ba、Sr、PbおよびLaからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、およびZrおよびTiからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素のβジケトン錯体化合物、並びに酸化剤を原料とする化学気相成長法を用いることにより、 400Torr以下の圧力下、1000°C以下の温度において、反応律速条件で誘電体薄膜を形成する。【効果】より誘電率が高い誘電体薄膜を、段差のある複雑な形状の基板上に均一に形成することができ、より集積度の高い半導体装置を製造することができる。

Claim (excerpt)：

半導体層上に、下記の一般式(1)で表わされる化合物からなる誘電体薄膜を形成する工程を具備した半導体装置の製造方法であって、ABO3 ......(1)(ここで、AはCa、Ba、Sr、PbおよびLaからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であり、BはZrおよびTiからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素である)前記誘電体薄膜の形成は、前記元素Aのβジケトン錯体化合物と、前記元素Bのβジケトン錯体化合物と、酸化剤とを含む原料ガスを用いた化学的気相成長法により、400 Torr以下の圧力下において、1000°C以下の温度で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/314 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-184904 Applicant：三菱電機株式会社
金属複合酸化物膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-253240 Applicant：日本酸素株式会社
容量素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-032212 Applicant：株式会社日立製作所

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