半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995015947
Publication number (International publication number)：1996213382
Application date： Feb. 02, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は素子の実効面積が大きく高集積化が可能な半導体装置の構造及び製造方法を提供するものである。【構成】半導体装置中の無効領域であるバーズビークの発生領域に窒素をドーピングすることにより、窒素の酸化抑制作用を利用してシリコン酸化物であるバーズビークの形成を抑制し、かかる無効領域を減少させることにより上記目的を達成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された活性な素子領域と、活性な素子領域を分離するために半導体基板に形成された分離領域から構成される集積回路であって、活性な素子領域と分離領域との境界領域に、窒素をドーピングした領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/76

FI (2)：

H01L 21/94 A , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-334357 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-190995 Applicant：株式会社東芝
特開昭61-252645

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