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J-GLOBAL ID:200903001772443627
膜形成用組成物およびシリカ系膜
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000231303
Publication number (International publication number):2002038090
Application date: Jul. 31, 2000
Publication date: Feb. 06, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、短時間焼成が可能であり、クラック耐性、低吸湿性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物およびシリカ系膜【解決手段】 (A)それぞれ下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を金属キレート化合物および或いはアルカリ触媒の存在下に、加水分解、縮合してなる化合物、(B)アルカリ化合物ならびに(C)有機溶媒を含有する膜形成用組成物。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)(式中RはH、F、又は一価の有機基、R1 〜R6 は一価の有機基、R7 はO、フェニレン基又は-(CH2)n -、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)
Claim (excerpt):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、およびSi(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。)(A-3)下記一般式(3)で表される化合物 R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 ・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を金属キレート化合物およびアルカリ触媒もしくはいずれか一方の存在下に、加水分解、縮合してなる加水分解縮合物、(B)アルカリ化合物ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4):
C09D183/04
, C08G 77/08
, C09D183/02
, C09D183/14
FI (4):
C09D183/04
, C08G 77/08
, C09D183/02
, C09D183/14
F-Term (56):
4J035BA06
, 4J035BA16
, 4J035CA022
, 4J035CA112
, 4J035CA142
, 4J035CA162
, 4J035CA192
, 4J035EA01
, 4J035EB03
, 4J035HA01
, 4J035HA02
, 4J035HA06
, 4J035HB03
, 4J035LA03
, 4J035LB01
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038DL161
, 4J038GA01
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, 4J038GA03
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, 4J038JA37
, 4J038JA38
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, 4J038JA56
, 4J038JB01
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, 4J038JB13
, 4J038JB25
, 4J038JB27
, 4J038JB29
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, 4J038JC13
, 4J038JC38
, 4J038KA04
, 4J038LA06
, 4J038MA07
, 4J038NA04
, 4J038NA21
, 4J038NA24
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PB11
, 4J038PC02
, 4J038PC08
Patent cited by the Patent: