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J-GLOBAL ID：200903001814716963

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
斉藤 尚史

About 斉藤 尚史


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996219511
Publication number (International publication number)：1998065174
Application date： Aug. 21, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置等に用いられる薄膜トランジスタにおいて、ITO等の透明導電性薄膜と良好なコンタクトを形成することができる薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極構造を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の内、少なくともITO等の透明導電性薄膜からなる電極と接続される電極とITO等の透明導電性薄膜との間に表面に抵抗率において良導体あるいは半導体である酸化膜を形成する金属材料からなるキャップ電極を介在させる。キャップ電極は薄膜トランジスタのソース電極及び/またはドレイン電極上に積層して形成される。または、ソース電極及び/またはドレイン電極の表面を覆うように形成される。あるいは、ソース電極及び/またはドレイン電極上に形成された絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して前記電極に接続される。
Claim (excerpt)：
シリコンを主成分とする半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタは前記半導体層に接続されるAlを主成分とする金属からなる第1の電極を有し、前記第1の電極の表面に抵抗率において良導体あるいは半導体である酸化膜を表面に形成する金属材料からなる第2の電極が電気的に接続されるように設けられ、前記第2の電極に透明導電性薄膜からなる電極が電気的に接続されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 V
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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