半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235521
Publication number (International publication number)：1996095085
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】画素駆動素子としてのTFTの能動層と液晶セルの表示電極とのオーミックコンタクトを良好にすることが可能なLCDを提供する。【構成】TFT61のソース電極19と表示電極4との間にチタン薄膜23が形成されている。アルミ合金膜から成るソース電極19とチタン薄膜23とを同じメタルスパッタ装置内で連続して形成すれば、ソース電極19の表面が酸化することはない。また、ITO膜から成る表示電極4を酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気中におけるスパッタ法で形成する際には、チタン薄膜23の表面が酸化する。しかし、酸化チタンの抵抗値はチタン単体と同程度に低いため、チタン薄膜23の表面が酸化したとしても、ソース電極19と表示電極4との間のコンタクト抵抗が増大することはない。

Claim (excerpt)：

半導体層とITO膜との間に少なくとも導電膜を設けた半導体装置。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/40 , H01L 29/786

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-252593 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-253342
特開平3-108767

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