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J-GLOBAL ID：200903001861521186

多層セラミック基板およびその製造方法

Inventor：
齊藤 隆一

About 齊藤 隆一

, 
勝村 英則

About 勝村 英則

, 
加賀田 博司

About 加賀田 博司


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002306165
Publication number (International publication number)：2003204168
Application date： Oct. 21, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 十分な平坦性と、高い寸法精度を有し、焼成後の電極近傍に欠陥が生じない多層セラミック基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラスセラミック6と、ガラスセラミック6の内部および少なくとも一つの主面表面上に形成された配線パターン2、4と、所定の配線パターン2、4どうしを接続するビア導体3とを備えた多層セラミック基板において、ビア導体3は、Ag、Au、PtおよびPdの内の少なくとも一種類を主成分とする導電性材料と、さらにMo化合物またはMo金属を前記導電性材料100重量部に対し、Mo金属に換算して0.05重量部以上10重量部以下の範囲で含有している。
Claim (excerpt)：
ガラスセラミックと、前記ガラスセラミックの内部および少なくとも一つの主面表面上に形成された配線パターンと、所定の前記配線パターンどうしを接続するビア導体とを備えた多層セラミック基板において、前記ビア導体は、Ag、Au、PtおよびPdの内の少なくとも一種類を主成分とする導電性材料と、さらにMo化合物またはMo金属を前記導電性材料100重量部に対し、Mo金属に換算して0.05重量部以上10重量部以下の範囲で含有していることを特徴とする多層セラミック基板。
IPC (3)：
H05K 3/46 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/11
FI (6)：
H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T ,  H05K 1/09 B ,  H05K 1/11 N
F-Term (42)：
4E351AA07 ,  4E351AA19 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351BB49 ,  4E351CC12 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD17 ,  4E351DD20 ,  4E351DD21 ,  4E351GG01 ,  5E317AA24 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317BB17 ,  5E317CC25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG05 ,  5E317GG14 ,  5E346AA05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346CC16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC35 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE28 ,  5E346FF18 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特許第2785544号公報
  • 多層配線基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-371646   Applicant：京セラ株式会社
  • セラミック回路基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-215165   Applicant：京セラ株式会社
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Cited by examiner (5)
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