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J-GLOBAL ID:200903070030545625

セラミック回路基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998215165
Publication number (International publication number):2000049431
Application date: Jul. 30, 1998
Publication date: Feb. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】本発明は、ガラス-セラミック材料からなる基体上にAg系材料の表層配線を形成しても、表面配線の半田濡れ性が良好で、導体接着強度の信頼性の劣化が少なく、且つ基体反りが少ないセラミック回路基板を提供する。【解決手段】 本発明は、ガラス成分とセラミック成分とから成る複数の誘電体材料を基体上に、Ag系表層配線を基体との同時焼成により形成してなるセラミック回路基板において、前記表層配線は、Ag系導体材料100wt%に対して、0.2〜1.0wt%のV2 O5 及び0.1〜1.5wt%のMoO3 を含有しているセラミック回路基板である。
Claim (excerpt):
ガラス成分とセラミック成分とから成る基体上に、表層配線を被着形成して成るセラミック回路基板であって、前記表層配線は、AgもしくはAgを主成分とする導体材料100wt%に対して、0.2〜1.0wt%のV2 O5 及び0.1〜1.5wt%のMoO3 を含有させて形成したことを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (2):
H05K 1/09 ,  H05K 3/46
FI (2):
H05K 1/09 Z ,  H05K 3/46 H
F-Term (25):
4E351AA07 ,  4E351BB31 ,  4E351CC12 ,  4E351DD05 ,  4E351DD20 ,  4E351EE02 ,  4E351EE08 ,  4E351EE10 ,  4E351GG02 ,  4E351GG15 ,  5E346AA54 ,  5E346CC18 ,  5E346DD13 ,  5E346DD45 ,  5E346EE23 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346GG04 ,  5E346GG05 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346GG25 ,  5E346HH11 ,  5E346HH40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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