半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002126339
Publication number (International publication number)：2003324119
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】金属バンプを外部端子として用いる半導体装置において、金属バンプの突出部分に十分な高さを確保して実装信頼性を向上できるようにする。【解決手段】まず、ウエハ状態の半導体チップ11の上に、金属バンプ19の接続部となる複数のランド部17a及び素子電極12とランド部17aとを接続する配線本体部17bを形成した後、ランド部17a上に開口部18aを有するソルダーレジスト膜18を形成する。次に、ランド部17aと対になる孔部22aを有する金属マスク22を用いて、金属マスク22の孔部22aとソルダーレジスト膜18の開口部18aとに半田材23を充填する。次に金属マスク22を分離した後、半田材23を溶融して外部端子となる金属バンプ19を形成する。次に、ソルダーレジスト膜18に対するドライエッチングを行ってソルダーレジスト膜18の膜厚を小さくする。

Claim (excerpt)：

主面上に電極を有するウエハ状態の半導体チップの上に、前記電極の上側部分が開口された第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の絶縁膜の上に、一方の端部が前記電極と接続され、他方の端部が接続部となる配線を形成する第2の工程と、前記配線を含む前記第1の絶縁膜の上に、前記接続部の上に開口部を有する絶縁性樹脂材からなる第2の絶縁膜を形成する第3の工程と、前記第2の絶縁膜をマスクとして前記接続部の上に導電性部材からなる外部端子を形成する第4の工程と、前記第2の絶縁膜の膜厚を小さくする第5の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 23/12 501

FI (2)：

H01L 23/12 501 P , H01L 21/92 604 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体集積回路装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-052405 Applicant：シャープ株式会社
バンプの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-126647 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体パッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-227129 Applicant：富士電機株式会社

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Cited by examiner (4)

半導体集積回路装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-052405 Applicant：シャープ株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-126647 Applicant：松下電器産業株式会社
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