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J-GLOBAL ID：200903001896571364

半導体素子の製造方法

Inventor： 李 仁 行
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001085067
Publication number (International publication number)：2002025944
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 TiSi2層の形成時、Ti蒸着厚さを厚くし且つ接合部内のSi原子消耗を最小化することにより、コンタクト抵抗を低め接合部の漏洩電流特性を向上させて超高集積半導体素子の製造を実現することができる半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る半導体素子の製造方法は、素子分離膜、ゲート及び接合部が形成された半導体基板を提供し、ゲートの上部にはマスク絶縁膜を、両側壁にはゲートスペーサを形成する段階と、接合部の露出した表面にシリコン層を形成する段階と、TiCl4気体とH2気体を用いたプラズマCVD法でTiを蒸着すると共に、シリコン層上にTiSi2層を形成する段階と、TiSi2層を形成した後、反応せずに残っているTi層を除去する段階とを含んでなる。

Claim (excerpt)：

TiSi2層を形成するための半導体基板を提供する段階と、TiCl4気体とH2気体を用いたプラズマCVD法でTiを蒸着すると同時に、前記半導体基板の表面にTiSi2層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S

F-Term (70)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4M104BB01 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F033HH04 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033JJ26 ,  5F033KK01 ,  5F033KK26 ,  5F033MM07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP04 ,  5F033PP07 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX09 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG22 ,  5F140BG29 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BH06 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK18 ,  5F140BK30 ,  5F140BK34 ,  5F140BK35 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CF00 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237438   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-118461   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-222455   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-320329
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-327322   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-251100   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平4-320329
  
• 特開平4-320329