MEMSデバイスおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上柳雅誉 , 須澤修 , 宮坂一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007131317
Publication number (International publication number)：2008119818
Application date： May. 17, 2007
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するMEMSデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板41上に形成されたシリコンからなる固定電極50と、シリコン基板41上に形成された窒化膜43と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置されたシリコンからなる可動電極60と、可動電極60の周囲に形成され且つ固定電極50の一部を覆うように形成された第1層間絶縁膜52、第1配線層63、第2層間絶縁膜53、第2配線層64、および保護膜59がこの順に積層された配線積層部と、を有している。可動電極60は、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属によりシリサイド化されてシリサイド部分65が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたシリコンからなる固定電極と、前記半導体基板と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置されたシリコンからなる可動電極と、前記可動電極の周囲に形成され且つ前記固定電極の一部を覆うように形成された配線積層部であって、配線を含む前記配線積層部と、を有し、少なくとも前記可動電極が高融点金属によりシリサイド化されていることを特徴とするMEMSデバイス。

IPC (2)：

B81B 3/00 , B81C 1/00

FI (2)：

B81B3/00 , B81C1/00

F-Term (14)：

3C081AA07 , 3C081BA06 , 3C081BA42 , 3C081BA53 , 3C081CA03 , 3C081CA13 , 3C081CA16 , 3C081CA23 , 3C081CA27 , 3C081CA40 , 3C081DA02 , 3C081DA27 , 3C081DA44 , 3C081EA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

マイクロメカニカルフィルタ及び携帯型情報端末
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-005735 Applicant：株式会社東芝
走査ミラー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-072851 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

Cited by examiner (5)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-209581 Applicant：株式会社日立製作所
表面マイクロマシンおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-019053 Applicant：アイシン精機株式会社
微細加工方法および加速度計とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-221884 Applicant：富士通株式会社

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