多層配線構成体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994185896
Publication number (International publication number)：1996051150
Application date： Aug. 08, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【構成】シリコン基板上に形成した熱酸化膜と、該熱酸化膜上に形成したパターン加工された金属層と、少なくとも該熱酸化膜の上に形成されたケイ素化合物層と、該ケイ素化合物層上に形成された絶縁層を最少限具備してなる多層配線構成体。【効果】絶縁層と熱酸化膜および絶縁層と金属層間の接着性を高め、信頼性が高い多層配線構成体を提供することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成した熱酸化膜と、該熱酸化膜上に形成したパターン加工された金属層と、少なくとも該熱酸化膜の上に形成されたケイ素化合物層と、該ケイ素化合物層上に形成された絶縁層を最少限具備してなる多層配線構成体。

IPC (5)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H05K 3/38 , H05K 3/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭56-130945
特開昭48-098781
ポリアミック酸エステルを用いた電子装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203540 Applicant：株式会社日立製作所

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