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J-GLOBAL ID：200903001926886101

シリコン発光ダイオード

Inventor： 高橋 庸夫 ,  小野 行徳 ,  田部 道晴
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994195844
Publication number (International publication number)：1996046237
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】薄層シリコン層の両側にp型,n型の半導体を配設し、他のシリコン基板を用いた能動素子と併用を可能にする。【構成】シリコン基板1上に形成された酸化膜2と、酸化膜上に形成され発光領域となる薄い上層シリコン層6と、これに延設された厚い上層シリコン層7と、の両シリコン層上に形成された絶縁膜4を介して、薄い上層シリコン層の一方の側部の斜面に接触するように配設された導電性膜8とを備え、発光領域6の両側にpn層が形成され、かつ発光領域を形成するシリコン層6の厚さは3以下ないし1ナノメータ以上であるシリコン発光ダイオード。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に形成され発光領域となる薄い上層シリコン層と、これに延設された厚い上層シリコン層と、前記の両シリコン層上に形成された絶縁膜を介して、前記薄い上層シリコン層の一方の側部の斜面に接触するように配設された導電性膜とを備え、前記発光領域の両側にpn層が形成され、かつ前記発光領域を形成するシリコン層の厚さは3以下ないし1ナノメータ以上であることを特徴とするシリコン発光ダイオード。