半導体構造およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000396575
Publication number (International publication number)：2001251017
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】様々な半導体の応用において埋込み層を平面横方向に酸化する半導体構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化しようとする層の側壁をさらすメサを形成する代わりに、複数のエッチングされたキャビティ110を使用して、酸化させる埋込み層120にアクセスする。得られた酸化領域の形状とサイズは、各キャビティの形状とキャビティの相互の配置とによって定まる。キャビティ110間の区域は平面のままであるので、次に続く工程たとえば電気接点の形成やホトリソグラプィが容易になる。

Claim (excerpt)：

半導体構造において、基層と、前記基層の上に形成された複数の半導体層であって、最上部層である第1半導体層及び活性層から成る第2半導体層を含む複数の半導体層と、前記最上部層から延びた孔が入り込んでいる酸化可能な半導体層とから成り、前記酸化可能な半導体層の第1領域および第2領域によって境界が定められた非酸化ストライプ領域を形成するように、前記酸化可能な半導体層の前記第1領域および前記第2領域は酸化されていることを特徴とする半導体構造。

IPC (5)：

H01S 5/22 , H01L 21/205 , H01L 21/764 , H01L 27/15 , H01S 5/183

FI (5)：

H01S 5/22 , H01L 21/205 , H01L 27/15 A , H01S 5/183 , H01L 21/76 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

3次元半導体光結晶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357673 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-242275 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (2)

3次元半導体光結晶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357673 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-242275 Applicant：富士通株式会社

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