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J-GLOBAL ID：200903001972979580

成膜装置及び成膜方法

Inventor：
杉浦 正仁

About 杉浦 正仁

, 
神力 博

About 神力 博


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274354
Publication number (International publication number)：2000087244
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 金属含有原料ガスの噴射領域を狭くしてこの噴射速度を高めることにより、膜中に含まれる反応副生成物の量を抑制して絶縁耐圧特性等を向上させることができる成膜装置を提供する。【解決手段】 金属含有原料ガスと酸化性ガスとを処理容器16内の天井部に設けたシャワーヘッド部60へ供給し、前記両ガスを前記シャワーヘッド部の下面のガス噴射面66に設けた原料ガス噴射孔68及び酸化性ガス噴射孔70からそれぞれ前記処理容器内へ導入して、前記処理容器内の載置台30上に載置された被処理体Wの表面に金属含有膜を形成する成膜装置において、前記原料ガス噴射孔の形成領域86を、前記載置台上の被処理体の上面に対応する面積84Wよりも小さく設定して前記原料ガス噴射孔からの前記金属含有原料ガスの噴射速度を高める。これにより、金属含有原料ガスの噴射領域を狭くしてこの噴射速度を高め、膜中に含まれる反応副生成物の量を抑制して絶縁耐圧特性等を向上させる。
Claim (excerpt)：
金属含有原料ガスと酸化性ガスとを処理容器内の天井部に設けたシャワーヘッド部へ供給し、前記両ガスを前記シャワーヘッド部の下面のガス噴射面に設けた原料ガス噴射孔及び酸化性ガス噴射孔からそれぞれ前記処理容器内へ導入して、前記処理容器内の載置台上に載置された被処理体の表面に金属含有膜を形成する成膜装置において、前記原料ガス噴射孔の形成領域を、前記載置台上の被処理体の上面に対応する面積よりも小さく設定して前記原料ガス噴射孔からの前記金属含有原料ガスの噴射速度を高めるようにしたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3)：
C23C 16/455 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31
FI (3)：
C23C 16/44 D ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B
F-Term (36)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA20 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EB08 ,  5F045EC09 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045EM03 ,  5F045EM05 ,  5F045EM10 ,  5F045GB17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336082   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
  • 基板処理装置および基板処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-174651   Applicant：アネルバ株式会社

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