基板処理装置および基板処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995174651
Publication number (International publication number)：1997025586
Application date： Jul. 11, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】基板面を均一に処理することが可能な、基板処理装置を提供すること。【構成】 RIE装置100は、真空容器12、基板支持電極14から成る基板支持機構、対向電極16およびガス供給系16から成るガス導入機構から主として構成されている。ここで、基板支持電極14は真空容器12の外部で、高周波電源20と接続している。また、対向電極16とガス供給系18とはガス導入路22を介してつながっており、対向電極16にはシャワーヘッドが設けられている。また、基板支持面14aとシャワーヘッド24のガス導入面24aとは、対向しており、シャワーヘッド24のガス導入面22aと基板支持面14aに支持される基板10との間隔は50mmである。そして、ガス導入面24aの外径、すなわちシャワーヘッド24の外径W2 は基板支持面14aに支持される基板10の外径W1 より小さい。

Claim (excerpt)：

内部を減圧状態に保持できる真空容器と、該真空容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入機構と、基板を支持する基板支持機構とを具え、前記ガス導入機構が有するガス導入面と前記基板支持機構が有する基板支持面とが前記真空容器の内部で対向している基板処理装置において、前記ガス導入面の外径が、前記基板支持面に支持される基板の外径より小さいことを特徴とする基板処理装置。

IPC (4)：

C23F 4/00 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (4)：

C23F 4/00 A , C23C 16/44 D , H01L 21/205 , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-277313 Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-077039 Applicant：ソニー株式会社
CVD装置及びかかる装置を用いた薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-331575 Applicant：ソニー株式会社

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