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J-GLOBAL ID：200903002006823945
ヘテロ構造バイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002028427
Publication number (International publication number)：2003229431
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 HBTの動作速度特性を向上させる。【解決手段】 半絶縁性基板1上にサブコレクタ層2、コレクタ層3,ベース層4とが積層され、ベース層上にメサ型に形成されたエミッタ層5とエミッタキャップ層7とが積層され、かつ、サブコレクタ層2上にコレクタ電極9が形成され、ベース層4上のエミッタ層5の近接位置にベース電極8が形成され、エミッタキャップ層6上にエミッタ電極7が形成されたヘテロ構造バイポーラトランジスタにおいて、ベース層4の上面におけるメサ型に形成されたエミッタ層のメサ側面とベース電極8との間の部分を覆う第1の絶縁膜13と、第1の絶縁膜13の上面と、コレクタ電極9の上面と、サブコレクタ層2の上面におけるコレクタ層3及びコレクタ電極9以外の部分とを覆う第2の絶縁膜14とを形成している。
Claim (excerpt)：
半絶縁性基板上に第1の導伝型のサブコレクタ層が形成され、このサブコレクタ層の上面に第1の導伝型又は第2の導伝型あるいは不純物をドープしないコレクタ層と第2の導伝型のベース層とが積層され、このベース層上にメサ型に形成された第1の導伝型のエミッタ層と第1の導伝型のエミッタキャップ層とが積層され、かつ、前記サブコレクタ層上にコレクタ電極が形成され、前記ベース層上の前記エミッタ層の近接位置にベース電極が形成され、前記エミッタキャップ層上にエミッタ電極が形成されたヘテロ構造バイポーラトランジスタにおいて、少なくとも前記メサ形に形成されたエミッタ層と前記ベース電極との間の前記ベース層上面を覆う第1の絶縁膜と、少なくとも、前記第1の絶縁膜の上面と、前記コレクタ電極の上面と、前記サブコレクタ層の上面における前記コレクタ層及びコレクタ電極以外の部分とを覆う第2の絶縁膜とを備えたことを特徴とするヘテロ構造バイポーラトランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
5F003AP00
, 5F003BA11
, 5F003BA92
, 5F003BB05
, 5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BM03
