半導体デバイス製造装置におけるウェーハ近傍微粒子の検出装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：内原晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997303565
Publication number (International publication number)：1998213539
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体製造において、ウェーハ近傍における微粒子の存在をレーザ光の散乱により確実に検出し、製造装置の清浄化作業実施の時期の決定への情報とする。【解決方法】半導体デバイス製造プロセス進行中にウェーハ105のすぐ近傍の測定体積115をレーザビーム130で走査する。この走査によって、上記進行中のプロセスに支障を及ぼすことなく微粒子のリアルタイム計数を行う。検出光はこのセンサの光検出部150へのアクセスの利用可能性に応じて前方散乱光、側方散乱光または後方散乱光とすることができる。微粒子が走査される度ごとに散乱光強度がパルス状になる。走査速度は微粒子の移動速度よりも大きいので、各微粒子は測定体積中を浮遊する間に数回にわたって走査される。一つの微粒子について生ずる一連のパルスを分析する。

Claim (excerpt)：

測定体積を横切って照射する光ビームを送出する光送出器と、光検出器と前記測定体積からの散乱光を集光してその光を前記光検出器に向ける光学系とを含み、その光検出器に向けられた光の強度を表す信号をその光検出器が発生するように構成した検出器と、前記光検出器からの信号を分析するように相互接続され、前記光検出器からの信号の中のパルスを検出するパルス検出器と、微粒子に対応しその微粒子が前記測定体積の中を動く間の前記ビームによる複数回の照射に伴う前記微粒子による散乱光に起因する一連のパルスを特定する事象検出器とを含む信号処理手段とを含む微粒子センサ。

IPC (3)：

G01N 21/27 , G01N 15/06 , G01N 15/14

FI (3)：

G01N 21/27 B , G01N 15/06 C , G01N 15/14 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-225144
浮遊粒子のレーザ計測装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302496 Applicant：日新電機株式会社
微粒子センサに於けるレーザーの漂遊光を低減させる方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-186354 Applicant：ハイ・イールド・テクノロジー・インコーポレイテッド

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