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J-GLOBAL ID：200903002083652231

薄膜ガスセンサ

Inventor： 小野寺 克己 ,  鈴木 卓弥 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999096271
Publication number (International publication number)：2000292395
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサの全体的な改良。【解決手段】 SnO2 膜をガス検知膜(センサ部)として有し、その上にアルミナ等の焼結体からなるガス選択燃焼層を持つ薄膜ガスセンサにおいて、そのセンサ部の大きさや膜厚、ダイアフラム径との比などを工夫することで、ガス選択性を高め、消費電力の低減化を可能とする。

Claim (excerpt)：

両面に熱酸化SiO2 膜が1000Å〜1μm形成されたSi基板の一側面中央部がダイアフラム様にくりぬかれた基板面上に、窒化Si膜(500Å〜5000Å)とCVD-SiO2 膜(2μm以下)からなる支持層を介して薄膜ヒータを1000Å〜1μm形成し、さらに電気絶縁層としてSiO2 および窒化Si膜を2000Å〜2μm形成した後、ヒータおよびガス検知膜用の電極としてPt/TaまたはPt/Ti膜を2000Å〜2μm形成した後、その最表面にガス選択燃焼層を5μm〜100μm形成してなることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G08B 21/00

FI (2)：

G01N 27/12 B ,  G08B 21/00 W

F-Term (21)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046DB04 ,  2G046DC09 ,  2G046DD03 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046EB06 ,  2G046FB02 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ガスセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-048946   Applicant：富士電機株式会社
• 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220866   Applicant：エルジー電子株式会社
• 水素ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-292656   Applicant：富士電機株式会社