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J-GLOBAL ID：200903002104177415

半導体レーザ装置

Inventor： 八木 克己
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991343427
Publication number (International publication number)：1993175598
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高出力及び長寿命の半導体レーザ装置を提供する【構成】 n型GaAs基板上にInGaAs井戸層とAlGaAs障壁層からなる歪量子井戸構造の活性層5を含む半導体層が形成されている。特に、この前記活性層5の不純物濃度は2×1017cm-3以下が望ましい。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上にInGaAs井戸層とAlGaAs障壁層からなる歪量子井戸構造の活性層を含む半導体層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-132288
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-198876   Applicant：三菱電機株式会社
• 量子井戸型レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-320391   Applicant：イーストマン・コダックジャパン株式会社
• 特開平3-190295
  
• 特開平2-091979
  
• 特開平3-166785