絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002229372
Publication number (International publication number)：2004071842
Application date： Aug. 07, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタで、飽和電流に達して前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが破壊するまでの短絡耐量を改善すると同時に、スイッチングスピードを高速化する。【解決手段】複数の半導体層と、ゲート電極と、エミッタ電極と、コレクタ電極を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、チャネル領域上のゲート絶縁膜を膜厚の異なる膜を少なくとも2種類設けることで、チャネル幅を小さくすると同時に入力容量を低減した構造とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の主表面を有する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の主表面に接する第2導電型の第2の半導体層と、他方の主表面に露出する複数の第2導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層内に位置し他方の主表面に露出する複数の第1導電型の第4の半導体層と、第1の半導体層と第4の半導体層とに挟まれた第3の半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第3の半導体層と第4の半導体層との双方に電気的に接続するエミッタ電極と、第2の半導体層と電気的に接続するコレクタ電極を備えた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が、長手方向に少なくとも2種類の膜厚を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (5)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652B , H01L29/78 655F , H01L29/78 658D , H01L29/78 658F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-180948 Applicant：株式会社東芝
特開平4-125972
絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353801 Applicant：新電元工業株式会社

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