半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996064066
Publication number (International publication number)：1996330631
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】発光面積が大きく、かつランプの組み立て工程を導電性基板を有する発光ダイオードと共通化することができる絶縁性基板を用いた半導体発光素子を提供することである。【構成】サファイヤ基板1上に、バッファ層2、n-GaN層3、クラッド層4、発光層5、p-クラッド層6、およびキャップ層7が順に形成されている。キャップ層7の上面にp側電極10が設けられ、サファイヤ基板1、バッファ層2およびn-GaN層3の側面にn側電極11が設けられている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に複数の層が積層されてなる半導体発光素子において、前記複数の層のうち最上層の上面に第1の電極を形成するとともに、前記複数の層のうち所定の層の側面から前記絶縁性基板の側面に渡って第2の電極を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201306 Applicant：豊田合成株式会社
特開平2-081484
特開昭56-087383

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Cited by examiner (8)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201306 Applicant：豊田合成株式会社
特開平2-081484
特開昭56-087383

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