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J-GLOBAL ID：200903002209302789

単層カーボンナノチューブの開孔方法

Inventor： 飯島 澄男 ,  坂東 俊治 ,  末永 和知 ,  平原 佳織 ,  岡崎 俊也 ,  篠原 久典
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  名古屋大学長 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286095
Publication number (International publication number)：2002097008
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Apr. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 単層カーボンナノチューブを用いたデバイス材料等の高機能材料の開発に有用で、その管壁にも開孔できる、簡便で新しい単層カーボンナノチューブの開孔方法を提供する。【解決手段】 単層カーボンナノチューブを200〜600°Cの乾燥反応性ガス中に1分以上保持することで、単層カーボンナノチューブに直径1〜2nmの孔を開孔する。

Claim (excerpt)：

単層カーボンナノチューブを200〜600°Cの温度範囲の乾燥反応性ガス中に1分以上保持することで、単層カーボンナノチューブに直径1〜2nmの孔を開孔することを特徴とする単層カーボンナノチューブの開孔方法。

IPC (2)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00

FI (2)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00

F-Term (2)：

4G046CB01 ,  4G046CC03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 異物質内包カーボンナノチューブとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-341747   Applicant：日本電気株式会社
• カーボン・ナノチューブの精製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-145242   Applicant：日本電気株式会社