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J-GLOBAL ID:200903002217184795
バンプ構造及びその製造方法並びにフリップチップ実装 構造
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993283797
Publication number (International publication number):1995142488
Application date: Nov. 15, 1993
Publication date: Jun. 02, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体素子のAl電極にバンプを簡易に形成し、フリップチップ実装した場合の歩留まりを向上させる。【構成】 バンプ6は半導体素子1の電極2上にはんだの拡散防止かつはんだ接着効果のある金属からなるほぼ球状でかつ電極2と平行な面に加工された上面の中心部に円柱状の凸部を持つ金属突起4と、金属突起の上部を覆うように形成された半球形状のはんだ5または樹脂材料により構成される。バンプ6を介して実装用配線基板51に半導体素子1をフェイスダウンで接続する。
Claim (excerpt):
基板の電極に底面が固着されほぼ球状で上面の中心に凸部を有しはんだ拡散防止及びはんだ接着効果のある金属から成る金属突起と、この金属突起の上部を覆うが前記電極に接しないように形成された半球形状のはんだとを含むことを特徴とするバンプ構造。
IPC (2):
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
FI (3):
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
, H01L 21/92 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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半導体装置の組立方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-001255
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平3-187228
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特開平4-214631
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半導体素子用のPd極細線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-320426
Applicant:田中電子工業株式会社
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ハンダバンプ構造および形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-285869
Applicant:日本電気株式会社
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特開平4-258131
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半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置の実装体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-300737
Applicant:松下電器産業株式会社
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