半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司 , 長谷部政男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007207617
Publication number (International publication number)：2009043962
Application date： Aug. 09, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】簡易かつ安価に製造することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】まず、紫外光に対して透明な支持ウェハ100上に、紫外光を吸収可能な剥離層110を形成したのち、剥離層110の表面の所定の領域上に、紫外光を吸収可能な接着層130と、チップ11,12とを剥離層110側からこの順に積層配置する。剥離層110には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第1光量である材料を用い、剥離層130には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第1光量よりも小さな第2光量である材料を用いる。次に、単位面積当たりの光量が第1光量よりも小さく第2光量よりも大きな紫外光L1を、支持ウェハ100側から支持ウェハ100および剥離層110を介して接着層130に照射する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

紫外光に対して透明な支持基板上に、紫外光を吸収可能であって、かつ紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第1光量である剥離層を形成したのち、前記剥離層の表面の所定の領域上に紫外光を吸収可能であって、かつ紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第1光量よりも小さな第2光量である接着層と、チップとを前記剥離層側からこの順に積層配置する配置工程と、単位面積当たりの光量が前記第1光量よりも小さく前記第2光量よりも大きな第1紫外光を、前記支持基板側から前記支持基板および前記剥離層を介して前記接着層に照射する照射工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/00 , H01L 21/02 , H01L 23/12

FI (3)：

H01L27/00 301B , H01L21/02 B , H01L23/12 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体モジュール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-148055 Applicant：日立マクセル株式会社
特許3892774号広報
特許3583396号広報

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