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J-GLOBAL ID:200903087662100181
半導体集積回路の作製方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003414173
Publication number (International publication number):2004153290
Application date: Dec. 12, 2003
Publication date: May. 27, 2004
Summary:
【目的】 プラスチック基板のように製造方法に制限のある基板に、高性能な半導体集積回路を設ける。【構成】 ガラスでなる支持基板上にシリコンでなる剥離層および絶縁膜でなる下地膜11を形成し、下地膜上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路を作製する。ハロゲン化フッ素ガスを含む気流中に前記支持基板を放置して、剥離層を除去することにより、支持基板から前記半導体集積回路を分離する。かくすることにより、プラスチック基板のような材料上に半導体集積回路を形成することが可能になる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
ガラスでなる支持基板上にシリコンでなる剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁膜でなる下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路を作製し、
前記半導体集積回路上にパッシベーション膜を形成し、
ハロゲン化フッ素ガスを含む気流中に前記支持基板を放置して、前記剥離層を除去することにより、前記支持基板から前記半導体集積回路を分離することを特徴とする半導体集積回路の作製方法。
IPC (4):
H01L27/12
, H01L21/20
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (4):
H01L27/12 B
, H01L21/20
, H01L29/78 627D
, H01L29/78 619A
F-Term (37):
5F052AA02
, 5F052AA17
, 5F052DA02
, 5F052FA06
, 5F052JA01
, 5F052KB09
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC04
, 5F110DD01
, 5F110DD30
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE34
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110HJ12
, 5F110HL06
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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特表平6-504139
-
特開平4-178633
-
特開平4-170520
-
特公昭46-019008
-
特開平3-114226
-
画像表示装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-327570
Applicant:キヤノン株式会社
-
半導体集積回路チップの実装方法および半導体集積回路 チップの実装された電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-056783
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-226206
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-048532
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体回路およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067982
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
薄膜トランジスタおよびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-301173
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置とその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-038637
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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