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J-GLOBAL ID：200903002286814997

光偏向素子及びその製造方法

Inventor： 山野 耕治 ,  蔵本 慶一 ,  伊豆 博昭 ,  平野 均
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001286774
Publication number (International publication number)：2003098562
Application date： Sep. 20, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 弾性表面波の伝播速度が速く、高速走査が可能な光偏向素子を提供する。【解決手段】 基板2と、基板2上に設けられた圧電性薄膜からなる光導波層4と、光導波層4上に設けられたダイヤモンド様炭素膜5により光偏向素子を構成する。上記ダイヤモンド様炭素膜を設けることにより弾性表面波の伝播速度が速くなり、高速走査可能になる。また、本発明光偏向素子の製造方法は、基板上に光導波層4を形成する工程と、該光導波層上に、弾性波を誘起または検出するための電極を形成する工程と、該電極を覆って前記光導波層上にダイヤモンド様炭素膜5を直接形成する工程と、を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に設けられた圧電性薄膜からなる光導波層と、前記光導波層上に設けられたダイヤモンド様炭素膜と、を備えたことを特徴とする光偏向素子。

F-Term (13)：

2K002AA01 ,  2K002AA02 ,  2K002AA06 ,  2K002AB03 ,  2K002BA12 ,  2K002CA02 ,  2K002CA03 ,  2K002DA05 ,  2K002EA04 ,  2K002FA05 ,  2K002FA06 ,  2K002FA24 ,  2K002HA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光偏向素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-040963   Applicant：ミノルタ株式会社
• 赤外線用光路の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100482   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所