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J-GLOBAL ID：200903002307200013

ガラス基板及びガラス基板の平坦化方法

Inventor：
竹内 正樹

About 竹内 正樹

, 
柴野 由紀夫

About 柴野 由紀夫


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001122369
Publication number (International publication number)：2002316835
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】【解決手段】 ガラス基板の表面に対して局所的にプラズマエッチングを施すことによって、基板の表面が平坦化されたことを特徴とするガラス基板。【効果】 本発明によれば、IC等の製造において重要な光リソグラフィ法で使用されるフォトマスク用シリカガラス系基板、マイクロエレクトロニクスやマイクロ分析等の分野で利用が期待されるシリカガラス系基板、シリカガラス系チップなどにおいて、高平坦度のガラス基板、特に基板表面の面積1cm2あたり0.04nm以上1.3nm以下の平坦度を有するガラス基板を提供することができる。
Claim (excerpt)：
ガラス基板の表面に対して局所的にプラズマエッチングを施すことによって基板の表面が平坦化されたことを特徴とするガラス基板。
IPC (3)：
C03C 15/00 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027
FI (3)：
C03C 15/00 A ,  G03F 1/14 B ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (9)：
2H095BB17 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  4G059AA08 ,  4G059AB17 ,  4G059AC03 ,  4G059BB01 ,  4G059BB13 ,  4G059BB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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