固体撮像素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野田茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001399760
Publication number (International publication number)：2003197896
Application date： Dec. 28, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】ポリシリコン転送電極膜を熱酸化することなく層間絶縁膜を形成することにより、転送能力やセンサ感度の向上を図る。【解決手段】シリコン基板100A上に転送ゲート絶縁膜150を介して第1ポリシリコン膜152A、第1シリコン酸化膜154Aを順次成膜した後、フォトマスク160を介してドライエッチング等を行い、第1シリコン酸化膜154Aと第1ポリシリコン膜152Aとを併せてパターニングする。次に、第2シリコン酸化膜154Bを成膜し、エッチバックし、第1転送電極152の側部にサイドウォール状に第2シリコン酸化膜154Bが残るように加工する。これにより、シリコン酸化膜による層間絶縁膜154を形成する。そして、この層間絶縁膜154の上に第2転送電極156となる第2ポリシリコン膜156Aを成膜し、これをパターニングすることにより、第2転送電極156を形成する。

Claim (excerpt)：

光電変換を行う複数のフォトセンサ部と、前記複数のフォトセンサ部に蓄積された信号電荷を転送する転送部とを有し、前記転送部が複数層の転送電極を有する固体撮像素子の製造方法において、前記転送電極のうちの第1転送電極となる不純物をドープした第1ポリシリコン膜を成膜した後、第1転送電極のパターニングを行う前に、第2転送電極との層間絶縁膜となる第1シリコン酸化膜を連続して成膜し、次に前記第1ポリシリコン膜と第1シリコン酸化膜を併せてパターニングして第1転送電極を形成した後、再度、第2シリコン酸化膜を成膜してエッチバックを行い、前記第1転送電極の側部に第2シリコン酸化膜のサイドウォール状に残すことにより、層間絶縁膜を形成する、ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/148 , H01L 21/28 301 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 21/28 301 A , H04N 5/335 F , H01L 27/14 B

F-Term (26)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104GG17 , 4M104HH20 , 4M118AA01 , 4M118AA03 , 4M118BA13 , 4M118CA02 , 4M118DA12 , 4M118DA40 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118EA09 , 4M118EA17 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 5C024CX41 , 5C024GY23 , 5C024JX21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-095595 Applicant：松下電子工業株式会社
電荷転送装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-326360 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-279036

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