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J-GLOBAL ID：200903082148732380
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995095595
Publication number (International publication number)：1996293595
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：
【要約】【目的】 第1の転送電極と第2の転送電極の下のゲート絶縁膜に段差を無くしその膜厚を同一にし、転送効率を向上できる半導体装置を実現する。【構成】 P型シリコン基板1に形成した電荷転送領域2上にゲート絶縁膜3を形成し、第1の転送電極4,酸化膜5を形成した後、窒化膜6を堆積し、第1の転送電極4の側壁部分以外の窒化膜6を除去し、窒化膜6を除去したゲート絶縁膜3上に第2の転送電極9を形成することにより、第1の転送電極4を形成する前に形成したゲート絶縁膜3を第1,第2の転送電極4,9のゲート絶縁膜として用い、また、窒化膜6により第1の転送電極4の下部が、全く酸化雰囲気にさらされないために、第1,第2の転送電極4,9の下のゲート絶縁膜3が段差もなく全く同一の厚さで形成できる。そのため、第1の転送電極4と第2の転送電極9の間に異常な電位の部分が存在せず、転送効率を向上できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板表面に形成した電荷転送領域と、前記電荷転送領域内の信号電荷を転送するために前記電荷転送領域上にゲート絶縁膜を介して交互に配置形成した第1および第2の転送電極とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記電荷転送領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上の所定の領域に上面が絶縁膜で被覆された前記第1の転送電極を形成する工程と、前記第1の転送電極を形成した後、窒化膜を堆積する工程と、前記窒化膜の上に酸化膜を堆積する工程と、前記酸化膜を前記第1の転送電極の側壁部分を残してエッチングする工程と、エッチングにより残留した前記酸化膜で被覆された部分を除く前記窒化膜を除去する工程と、前記窒化膜の除去された前記ゲート絶縁膜上に前記第2の転送電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
Cited by examiner (6)
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