半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996336341
Publication number (International publication number)：1997289168
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】単結晶に匹敵する結晶性を有する半導体薄膜およびそれを用いて形成した活性層を有する半導体装置を得る。【構成】非晶質珪素膜104の下面に接する酸化珪素膜102に意図的に凹または凸パターン103を設け、結晶化を助長する金属元素が偏析し易いサイトを形成する。すると凹または凸パターン103を配置した位置に結晶核を選択的に形成する事が可能となり、結晶粒径を制御することができる。また、こうして得られた結晶性珪素膜109をハロゲン元素を含む雰囲気で加熱処理して、実質的に結晶粒界が存在しないモノドメイン領域を形成する。

Claim (excerpt)：

表面に絶縁膜を有する基体上に形成された半導体薄膜であって、前記半導体薄膜は前記基体と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成されるモノドメイン領域を有し、前記半導体薄膜の下面に接する前記絶縁膜には意図的に形成された凹または凸パターンが設けられていることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/205

FI (8)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 21/324 Z , H01L 21/205 , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多結晶半導体膜、それを用いた半導体装置及び太陽電池並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118173 Applicant：三洋電機株式会社
半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-301565 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-143417

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