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J-GLOBAL ID：200903027006362096

多結晶半導体膜、それを用いた半導体装置及び太陽電池並びにその製造方法

Inventor： 原田 康樹 ,  亀田 正明 ,  佐野 景一 ,  綾 洋一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118173
Publication number (International publication number)：1995288227
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶粒界の位置制御された多結晶半導体膜、それを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 微小な平面を備えた領域3を多数備えた基板1であって、その領域間で生じた段差4の位置によって、多結晶半導体膜の結晶粒界8の位置を制御する。

Claim (excerpt)：

表面に多数の凹凸を設けて微小な平面を備えた領域を多数個備え、隣接する該領域間に結晶粒界制御用の段差が設けられた基板と、この基板上に基板表面の凹凸形状を反映して膜内部に位置制御された結晶粒界を有して形成された多結晶半導体膜と、からなることを特徴とする多結晶半導体膜。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多結晶シリコン薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070991   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-068258   Applicant：日本板硝子株式会社
• 特開平1-239094