Pat
J-GLOBAL ID:200903002337440701
高周波半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 恵一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996087131
Publication number (International publication number):1997260583
Application date: Mar. 18, 1996
Publication date: Oct. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 実装基板に半田バンプを用いて高周波回路チップを実装する半導体装置において、高周波回路の特性劣化を防ぐと共に半田バンプの高さの制御を不要とする高周波半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 実装基板(1)の高周波回路チップ(2)と対向する位置に空隙(7)をもうける。
Claim (excerpt):
実装基板に半田バンプ(3)を用いて高周波回路チップ(2)をフリップチップ実装する半導体装置において、上記実装基板の該高周波回路チップ(2)と対向する位置に空隙(7)を設けたことを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (3):
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 21/60 311
FI (2):
H01L 25/04 Z
, H01L 21/60 311 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
半導体装置実装用基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-206460
Applicant:シヤープ株式会社
-
電子回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-175252
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067127
Applicant:松下電器産業株式会社
Return to Previous Page